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松下電器試制出降低導通電阻的GaN二極管
松下電器試制出使用GaN半導體、耐壓為9.4kV，導通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產(chǎn)品的導通電阻為1000mΩcm2。設(shè)想用于工作電壓從數(shù)百伏消費類電器和數(shù)kV產(chǎn)業(yè)電氣設(shè)備等廣泛領(lǐng)域。
2008-12-22
半導體 二極管 消費電子 電氣設(shè)備 分立器件 導通電阻
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VLMW84：Vishay超薄SMD LED系列
日前，Vishay推出業(yè)界首個采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍寶石 InGaN/TAG 技術(shù)的高強度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應用的成本，它們具有 25K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率。
2008-12-22
VLMW84 InGaN/TAG SMD LED CCFL 照明 光器件 CLCC-2 LED
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電子元器件S參數(shù)的含義和用途
在進行射頻、微波等高頻電路設(shè)計時，節(jié)點電路理論已不再適用，需要采用分布參數(shù)電路的分析方法，這時可以采用復雜的場分析法，但更多地時候則采用微波網(wǎng)絡(luò)法來分析電路，對于微波網(wǎng)絡(luò)而言，最重要的參數(shù)就是S參數(shù)。在個人計算機平臺邁入 GHz階段之后，從計算機的中央處理器、顯示界面、存儲器總線到...
2008-12-19
S參數(shù) 射頻 微波 分散參數(shù) 集總電路
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松下敲定收購三洋
據(jù)日本媒體報道，松下與三洋大股東高盛等三家金融企業(yè)已就收購三洋股權(quán)達成協(xié)議。
2008-12-19
電器 消費電子 可充電電池 電池
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壓電晶體：完成量的積累期待質(zhì)的突破
在中國電子元件行業(yè)協(xié)會壓電晶體分會和中國電子材料行業(yè)協(xié)會壓電晶體材料分會成立20周年之際，我們回顧與思考壓電晶體行業(yè)20年所走過的路，總結(jié)過去，籌劃未來。
2008-12-19
電子元器件 壓電晶體 家信息產(chǎn)業(yè) 國防軍工 民用 石英晶體
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Philips Lumileds戶外照明LED，18年不用更換
美國Philips Lumileds Lighting開發(fā)出配備自主開發(fā)的LED“LUXEON Rebel LED”的戶外照明燈“SUNDOWNER LED”。與原來的戶外照明燈相比，耗電量減少80％，壽命延長7倍。18年不用更換
2008-12-19
LUXEON Rebel LED LED 戶外照明
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LF1B型：愛德克增加AC100V LED照明單元產(chǎn)品
日本愛德克（IDEC）將于2008年12月22日上市新款LED照明單元“LF1B型高亮度LED”，包括可直接連接100V交流（AC）電源的產(chǎn)品，以及可滿足白色以外應用需求的燈泡色、黃色和紅色產(chǎn)品。
2008-12-19
LF1B LED 照明單元 熒光燈
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LF1B型：愛德克增加AC100V LED照明單元產(chǎn)品
日本愛德克（IDEC）將于2008年12月22日上市新款LED照明單元“LF1B型高亮度LED”，包括可直接連接100V交流（AC）電源的產(chǎn)品，以及可滿足白色以外應用需求的燈泡色、黃色和紅色產(chǎn)品。
2008-12-19
LF1B LED 照明單元 熒光燈
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IRFBxxxxPBF：IR全新基準高電流MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。
2008-12-19
HEXFET MOSFET 導通電阻 TO-220 D2PAK TO-262 電子元器件 分立器件 潘大偉
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