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使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能
本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是使用CD4007晶體管陣列構(gòu)建各種CMOS邏輯功能。CD4007包含三對(duì)互補(bǔ)的NMOS和PMOS晶體管。
2022-10-21
CD4007陣列 CMOS 晶體管
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如何利用間接電流模式儀表放大器放大具有大直流偏移的交流信號(hào)？
在電磁流量計(jì)和生物電測(cè)量等應(yīng)用中，小差分信號(hào)與大得多的差分偏移串聯(lián)。這些偏移通常會(huì)限制電路在前端設(shè)計(jì)中可以獲得的增益，進(jìn)而影響整體動(dòng)態(tài)范圍。當(dāng)使用較低電源電壓時(shí)，例如在電池供電的信號(hào)鏈中，增益限制更具挑戰(zhàn)性。解決這個(gè)大差分偏移問(wèn)題的一種方案是使用交流耦合測(cè)量信號(hào)鏈。典型的交流...
2022-10-21
儀表放大器 直流偏移 電磁流量計(jì)
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貿(mào)澤電子攜手Nordic舉辦窄帶物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研討會(huì)
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布將攜手Nordic于10月25日14:00-15:30舉辦主題為“Nordic超低功耗窄帶蜂窩片上模組”的專題技術(shù)研討會(huì)。屆時(shí)，來(lái)自Nordic的資深技術(shù)專家將為大家?guī)?lái)Nordic的超低功耗產(chǎn)品在物聯(lián)網(wǎng)方面的開(kāi)發(fā)，助力工程師設(shè)計(jì)出更具性能優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品。
2022-10-20
貿(mào)澤電子 Nordic 物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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提供工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備穩(wěn)定的電源驅(qū)動(dòng)力
機(jī)器人與工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備已經(jīng)是工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中不可缺席的要角，如今機(jī)器人也陸續(xù)朝向家用與商用市場(chǎng)發(fā)展，以不同的形態(tài)、功能，出現(xiàn)在消費(fèi)者的面前。這些機(jī)器人都需要穩(wěn)定的電源來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)與控制系統(tǒng)，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）便在其中扮演重要的角色。本文將為您介紹MOSFET的發(fā)展歷...
2022-10-20
工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備 電源驅(qū)動(dòng)
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IBIS建模--第3部分：如何通過(guò)基準(zhǔn)測(cè)量實(shí)現(xiàn)質(zhì)量等級(jí)為3級(jí)的IBIS模型
輸入/輸出緩沖器信息規(guī)范(IBIS)是一種行為模型，作為生成器件模型的標(biāo)準(zhǔn)格式而在全球受到歡迎。器件模型的精度取決于行業(yè)提供的IBIS模型的質(zhì)量。因此，為信號(hào)完整性仿真提供高質(zhì)量、可靠的IBIS模型是對(duì)客戶的堅(jiān)定承諾。
2022-10-18
IBIS 基準(zhǔn)測(cè)量 ADI
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NFC芯片市場(chǎng)空間巨大，如何把握產(chǎn)業(yè)向好機(jī)會(huì)？
“我感覺(jué)手機(jī)上最雞肋的功能就是NFC了，早年間，只要適配NFC功能的卡片見(jiàn)啥都給你匹配了，銀行卡、交通卡、飯卡被無(wú)區(qū)別對(duì)待，帶來(lái)了很多你充卡我付費(fèi)的問(wèn)題。政策出臺(tái)后，手機(jī)系統(tǒng)全部打上補(bǔ)丁，但凡是帶有金融加密屬性的卡片都不得復(fù)制，都不得在手機(jī)上使用。目前，除了坐公交、坐地鐵外，NFC功能...
2022-10-17
NFC 芯片 市場(chǎng)
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衛(wèi)星通信的頻率為什么那么高？
為什么衛(wèi)星離地面這么遠(yuǎn)，卻很少采用低頻通信？為什么大多數(shù)衛(wèi)星的通信頻率高達(dá)5GHz~40GHz卻可以傳輸3.6萬(wàn)公里的超遠(yuǎn)距離？要解開(kāi)這個(gè)疑問(wèn)，我們需要了解以下5個(gè)方面的知識(shí)。
2022-10-14
衛(wèi)星通信 頻率
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高功率GaN RF放大器的熱考慮因素
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的...
2022-10-13
GaN RF放大器
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芯片測(cè)試大講堂——MIPI D-PHY
大家好，由是德科技與上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心（上海ICC）聯(lián)合執(zhí)筆的芯片測(cè)試系列與大家見(jiàn)面了，本期內(nèi)容將聚焦于MIPI D-PHY測(cè)試，其中的內(nèi)容匯集了雙方諸位資深工程師的一手經(jīng)驗(yàn)，摘要如下：
2022-10-12
芯片測(cè)試 MIPI D-PHY
- 音頻放大器的 LLC 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
- 服務(wù)器電源設(shè)計(jì)中的五大趨勢(shì)
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