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基于GD32F407VET6主控芯片的永磁同步電機控制器設(shè)計
作品以國產(chǎn)MCU為核心，配合成熟的硬件方案和完善的軟件算法，解決了永磁同步電機在單母線電流傳感器拓撲驅(qū)動下零低速和中高速范圍內(nèi)無位置傳感器控制問題，實驗效果優(yōu)異，對于提高永磁同步電機在風機、水泵、電動工具等應(yīng)用領(lǐng)域具有積極意在僅有單母線電流傳感器的情況下，實現(xiàn)永磁同步電機的零低速...
2024-09-20
GD32F407VET6 主控芯片 永磁同步電機控制器
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用于測試汽車逆變器的主動電機仿真
作為電池模擬器，可以使用標準電源。通過適當控制電機模擬器，相電流通過相線圈從 DUT 流向模擬器，并通過 DC-Link 流回 DUT，反之亦然。因此，DC-Link受到實際電流的壓力，但由于能量在兩個逆變器之間流動，因此電池模擬只需為整個系統(tǒng)的損耗提供能量。這是重要的好處之一：可以使用相對較小的電源...
2024-09-15
汽車逆變器 測試 電機仿真
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電氣負載模擬器
電氣負載仿真的概念涉及控制電力電子轉(zhuǎn)換器，使其行為類似于實際電氣負載。例如，電壓源逆變器 (VSI) 可以仿真感應(yīng)電機。在不同情況下，負載仿真器的使用至關(guān)重要。它有助于分析在各種負載條件和環(huán)境下將多臺機器連接到電網(wǎng)的可行性。的部分是，這可以在沒有任何機電機械的情況下完成。負載仿真器可...
2024-09-15
電氣 負載模擬器
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備...
2024-09-11
SiC
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氮化鎵在高壓應(yīng)用中提供強大的解決方案
在電子工程領(lǐng)域，向更高工作電壓發(fā)展的趨勢是由各種應(yīng)用中對提高效率和功率密度的需求所推動的。氮化鎵（GaN）技術(shù)正作為一種強大的解決方案來滿足這些需求。
2024-09-11
氮化鎵 高壓應(yīng)用
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無需磁性元件的光伏調(diào)節(jié)器
光伏系統(tǒng)通常包括一種儲能方式——電池或超級電容器——在沒有陽光或電源瞬變時為負載提供電力。然而，在可行的情況下，無儲能系統(tǒng)是一種更環(huán)保的替代方案，具有更高的 MTBF。
2024-09-10
磁性元件 光伏調(diào)節(jié)器
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在工業(yè)電機驅(qū)動器中采用碳化硅設(shè)計的實用工具
隨著能源需求的增長，越來越嚴格的效率標準或最低能效標準 (MEPS) 順勢而生，旨在減少工業(yè)電機驅(qū)動器對日益變暖的地球所造成的環(huán)境影響。迄今為止，全球范圍內(nèi)已有 50 多個國家/地區(qū)（包括歐盟、中國和美國等重要經(jīng)濟體）紛紛制定了有關(guān)工業(yè)低壓電機驅(qū)動器效率的規(guī)范。當今的工業(yè)電機設(shè)計主要遵循全...
2024-09-09
工業(yè)電機 驅(qū)動器 碳化硅
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數(shù)字電位器能否代替電路中的機械電位器？
當然，在Dpot的整個設(shè)置范圍內(nèi)，Rw消除的完美程度并不比R5R6提供的2.5v DC偏置下Dpot的257個不同抽頭上的Rw匹配更好。給定電位器的電阻陣列內(nèi)的典型匹配看起來不錯，但制造商并沒有承諾這些，制造商只承諾了+/-20%左右的系數(shù)。不過，將Rw降低到五分之一仍然有用。
2024-09-08
數(shù)字電位器 機械電位器
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什么是電抗？電路中電流流動的阻礙
電抗是交流電路中具有阻礙電流流動性質(zhì)的一種電阻。該電阻力是線圈（電感）和電容器（電容）產(chǎn)生的，因此在交流電路的設(shè)計和分析過程中，需要了解并考慮到其影響。電抗被廣泛應(yīng)用于我們?nèi)粘Ｉ畹母鞣N技術(shù)中，如優(yōu)化電子設(shè)備的運行、有效傳輸能量和降低噪聲等。
2024-09-05
電抗 電流
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