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安森美半導(dǎo)體推出新晶閘管浪涌保護(hù)器件系列
2009年9月25日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出新的超低電容晶閘管浪涌保護(hù)器件(TSPD)——NP-MC系列,保護(hù)敏感的電子設(shè)備免受瞬態(tài)過(guò)壓情況下的影響。NP-MC系列器件的電容值比市場(chǎng)上現(xiàn)有產(chǎn)品低40%至50%,以極低的信號(hào)失真保護(hù)...
2009-09-29
安森美 半導(dǎo)體 TSPD NP-MC
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德國(guó)Q-Cells計(jì)劃轉(zhuǎn)型 欲打造成綜合型太陽(yáng)能企業(yè)
全球太陽(yáng)能電池制造商龍頭德國(guó)Q-Cells總經(jīng)理Anton Milner近日表示,希望將Q-Cells公司由原本的太陽(yáng)能電池制造商,轉(zhuǎn)型成為綜合性太陽(yáng)能企業(yè)。
2009-09-28
Q-Cells 德國(guó)太陽(yáng)能
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2009年全球新裝光伏發(fā)電系統(tǒng)將達(dá)到4GW
市場(chǎng)調(diào)查公司iSuppli數(shù)據(jù)顯示,2009年全球新安裝的光伏發(fā)電系統(tǒng)將達(dá)到4吉瓦(GW)左右,大多數(shù)都在德國(guó)。德國(guó)將安裝1.5GW,意大利為580MW,還有300MW到400MW將來(lái)自西班牙、加州和日本。
2009-09-28
光伏發(fā)電 太陽(yáng)能
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日本將投資42億日元建MEMS項(xiàng)目研發(fā)基地
日本擬設(shè)立名為“JMEC”的MEMS研發(fā)機(jī)構(gòu),JMEC計(jì)劃成為與IMEC一樣的產(chǎn)官學(xué)協(xié)作研究機(jī)構(gòu),不過(guò)其研發(fā)主題與IMEC略有不同。JMEC主要以MEMS為對(duì)象,除了MEMS領(lǐng)域的尖端研發(fā)之外,還考慮與設(shè)計(jì)試制服務(wù)以及人才培養(yǎng)相結(jié)合。
2009-09-28
MEMS JMEC IMEC
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安富利電子元件被美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司評(píng)為亞太區(qū)年度最佳分銷商
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體副總裁兼亞太區(qū)總經(jīng)理余敏宏表示:"美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司與安富利電子元件在亞洲區(qū)已合作十余年。雖然去年的市場(chǎng)環(huán)境充滿挑戰(zhàn)性,安富利仍然堅(jiān)持為客戶提供杰出的本地支持,保持高銷售業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)率并在創(chuàng)造需求方面取得了優(yōu)異的成績(jī)。安富利也體現(xiàn)了其一貫的強(qiáng)而有力的承諾,堅(jiān)持為客戶和...
2009-09-28
安富利 電子元件 亞洲 高銷售
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通過(guò)優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率
在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中,效率已經(jīng)有了顯著的提高,重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過(guò),隨著80PLUS,ClimateSavers以及EnergyStar5等規(guī)范的出現(xiàn),設(shè)計(jì)人員開(kāi)始認(rèn)識(shí)到,AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)。
2009-09-25
FET 功率轉(zhuǎn)換
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過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)器件的選型和應(yīng)用
電子元件技術(shù)網(wǎng)特邀保護(hù)器件專家講述:小型熔斷器的十大要素、好的熔斷器應(yīng)滿足的條件、影響熔斷器性能的六要素;TVS靜電保護(hù)及濾波器件的選擇,極間電容的選擇,大功率TVS的應(yīng)用等等問(wèn)題來(lái)解讀保護(hù)器件發(fā)展、選型、應(yīng)用。同時(shí)還對(duì)社區(qū)內(nèi)工程師實(shí)際遇到的電路保護(hù)熱點(diǎn)問(wèn)題進(jìn)行總結(jié),對(duì)實(shí)際的應(yīng)用也...
2009-09-25
過(guò)壓保護(hù) 過(guò)流保護(hù) ESD TVS
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負(fù)載開(kāi)關(guān)的發(fā)展概況
功率MOSFET是一種具有良好開(kāi)關(guān)特性的器件:導(dǎo)通時(shí)其導(dǎo)通電阻RDS(ON)很??;在關(guān)斷時(shí)其漏電流IDSS很小。另外,它的耐壓范圍很寬,從幾十V到幾百V,漏極電源范圍寬,從幾A到幾十A,所以非常適合作負(fù)載開(kāi)關(guān)。
2009-09-24
負(fù)載開(kāi)關(guān) MOSFET
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未來(lái)五年數(shù)字電源市場(chǎng)增長(zhǎng)45.3%
iSuppli公司的最新預(yù)測(cè)顯示,未來(lái)五年數(shù)字電源市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為45.3%。增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域預(yù)計(jì)將是高端服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信市場(chǎng),預(yù)計(jì)筆記本電腦和顯卡等低端計(jì)算市場(chǎng)將隨后加快增長(zhǎng)。
2009-09-23
數(shù)字電源 CAGR 高端服務(wù)器 PID
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