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如何加快設(shè)計和調(diào)試速度？具有突破性、可擴(kuò)展、直觀易用的上電時序系統(tǒng)是關(guān)鍵！
各行各業(yè)的電子系統(tǒng)都變得越來越復(fù)雜，這已經(jīng)不是什么秘密。至于這種復(fù)雜性如何滲透到電源設(shè)計中，卻不是那么明顯。例如，功能復(fù)雜性一般通過使用ASIC、FPGA和微處理器來解決，在更小的外形尺寸中融入更豐富的應(yīng)用特性。
2022-01-20
上電時序系統(tǒng)
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2022亞太區(qū)企業(yè)存儲關(guān)鍵趨勢展望
鑒于全球各國正奮力應(yīng)對新冠疫情，2022年將有望成為復(fù)蘇的一年。在新的一年里，商務(wù)差旅將逐步回溫，各種規(guī)模的面對面會議將重回議程，公司也將采取辦公室和居家相結(jié)合的混合辦公模式。那么，在企業(yè)存儲領(lǐng)域，我們預(yù)期又會迎來哪些趨勢呢？在本文中，我將分享基于與客戶探討所得出的廣泛預(yù)期，將這...
2022-01-19
亞太區(qū) 存儲 趨勢
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低邊開關(guān)導(dǎo)通時的Gate-Source間電壓的動作
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時的動作情況。
2022-01-19
低邊開關(guān)導(dǎo) Gate-Source
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橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
2022-01-19
橋式電路 開關(guān)
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SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時,需要在包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路的寄生分量在內(nèi)的等效電路基礎(chǔ)上進(jìn)行考量。
2022-01-17
SiC MOSFET 柵極驅(qū)動電路
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基于LM5036的半橋DC／DC電源非恒定電流限制
同時，LM5306在過流保護(hù)時可以進(jìn)入打嗝模式。其周期可由RES引腳上的外接電容進(jìn)行配置。除了傳統(tǒng)的過流打嗝模式，LM5036還支持倒灌電流的嗝模式保護(hù) 。當(dāng)?shù)构嚯娏鞣磸?fù)出現(xiàn)時，LM5036也可進(jìn)入打嗝模式。打嗝重啟電容器處設(shè)置15μA電流源。
2022-01-17
LM5036 半橋DC／DC電源 非恒定電流限制
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瑞能半導(dǎo)體全球運營中心正式啟動
中國上海 - 2022年1月14日 — 1月10日，“瑞征程 聚能量 2022WeEn蓄力·騰飛”瑞能半導(dǎo)體全球運營中心啟動儀式在上海隆重舉行，這不僅是瑞能半導(dǎo)體新形象的最好展示，也視作瑞能半導(dǎo)體作為“半導(dǎo)體芯勢力”，在2022年實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展的全新起點。此番，在全球運營中心啟動儀式上，瑞能半導(dǎo)體的代理商、供應(yīng)...
2022-01-14
瑞能半導(dǎo)體 運營中心
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使用集成雙向電流檢測放大器實現(xiàn)有效的電流監(jiān)控
越來越多的應(yīng)用需要快速準(zhǔn)確地進(jìn)行電流監(jiān)控，包括自動駕駛汽車、工廠自動化和機(jī)器人技術(shù)、通信、服務(wù)器電源管理、D 類音頻放大器和醫(yī)療系統(tǒng)。在許多這樣的應(yīng)用中，都要求進(jìn)行雙向電流檢測，而且需要以很小的成本有效地實現(xiàn)這一a目的。
2022-01-14
雙向電流檢測放大器 電流監(jiān)控
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一款可替代無源LC濾波器的高頻有源抗混淆濾波器
高頻(1MHz或更高)有源低通濾波器目前已經(jīng)成為無源LC濾波器的一種切實可行的替代方案，這是由于非常高帶寬(100MHz或更高)的集成放大器出現(xiàn)。帶寬處于兆赫茲頻段的模擬信號濾波應(yīng)用可借助一個采用電阻器、電容器和一個400MHz運算放大器(如LT1819)或者一個全集成低通濾波器(如LT6600-10)的分立有源濾波...
2022-01-14
有源抗混淆濾波器
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