產品特點：
- 近紫外LED外部量子效率較高，達到了36%
- 近紫外LED可實現與熒光燈幾乎相同的色溫
應用范圍：
- 照明
在近日東京的舉辦的“nano tech 2009國際納米技術綜合展”上，面向新一代照明用LED，東芝展出了正在開發(fā)的近紫外LED。其外部量子效率較高，達到了36%。發(fā)光波長為380nm。為了提高發(fā)光效率，抑制了GaN結晶的缺陷，提高了平坦性。
該公司對設置在藍寶石底板及GaN結晶之間、吸收不同晶格常數（lattice constant）的AlN緩沖層進行了改進。采用了在藍寶石底板上制作AlN薄層后，利用1300℃以上的高溫工藝制成μm單位AlN單結晶的“兩段成長法”。這樣，就能抑制在AlN層上成長的GaN結晶缺陷。另外還采用自主開發(fā)的技術解決了由于AlN較厚，與藍寶石底板的熱膨脹系數不同而引發(fā)的底板易破碎問題。
據了解，此次的近紫外LED可通過組合使用紅（R）、綠（G）、藍（B）熒光體，實現與熒光燈幾乎相同的2800K色溫、以及平均演色指數（Ra）90以上的照明效果。
