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第3講：SiC的晶體結(jié)構(gòu)
SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學(xué)計(jì)量比組成的晶體，因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同，形成不同的SiC多型體，本篇章帶你了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)及其可能存在的晶體缺陷。
2024-08-16
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可調(diào)速工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器有哪些不同類型
本文簡(jiǎn)要介紹了 VSD 和 VFD 的常用定義，并探討了廣泛使用 VFD 的原因。然后，回顧了 IEC 61800-9 中為交流驅(qū)動(dòng)器定義的效率等級(jí)，并介紹了 Delta Electronics、Siemens、Schneider Electric 和 Omron Automation 提供的典型市電供電型 VFD，最后還以 MEAN WELL 的示例系統(tǒng)為例，探討了 VFD 在 AMR 和其他電池供電型系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2024-08-13
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車載網(wǎng)絡(luò)趨勢(shì)與演進(jìn)
隨著車輛愈發(fā)先進(jìn)，有助于提升道路安全性能、提供駕駛輔助功能以及提高能效，其底層技術(shù)的重要性也隨之增加。無(wú)論是傳統(tǒng)的內(nèi)燃機(jī)（ICE）驅(qū)動(dòng)車輛、混合動(dòng)力汽車還是純電動(dòng)汽車，汽車設(shè)計(jì)中都包含了數(shù)十種傳感器、微控制器及執(zhí)行器，所有這些器件都會(huì)產(chǎn)生或處理大量的數(shù)據(jù)。
2024-08-10
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不斷改進(jìn) OBC 設(shè)計(jì)，適應(yīng)更高的功率等級(jí)和電壓
消費(fèi)者需求不斷攀升，電動(dòng)汽車 (EV) 必須延長(zhǎng)續(xù)航里程，方可與傳統(tǒng)的內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車相媲美。解決這個(gè)問(wèn)題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅(qū)逆變器等關(guān)鍵高功率器件的運(yùn)行能效。
2024-08-08
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要降本增效還要更可靠！能源基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)靠它們了！
本文簡(jiǎn)要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前，先探討了 SiC 的封裝和系統(tǒng)集成選項(xiàng)，并展示了設(shè)計(jì)人員該如何最好地應(yīng)用它們來(lái)優(yōu)化 SiC 功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器性能，以應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)。
2024-08-07
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ADAS和汽車自動(dòng)化：他山之石，可以攻玉
ADAS和AD加上用戶對(duì)信息娛樂(lè)和個(gè)性化的期望不斷提高，意味著汽車正在逐漸演變成為移動(dòng)數(shù)據(jù)中心。因此，軟件定義汽車（SDV）所需的關(guān)鍵硬件元素（IC、電路板或模塊）之間的通信對(duì)于成功運(yùn)營(yíng)至關(guān)重要。事實(shí)上，現(xiàn)在有些汽車已經(jīng)包含超過(guò)1億行代碼，而Straits Research預(yù)計(jì)到2030年汽車軟件市場(chǎng)的規(guī)模將達(dá)到近580億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為14.8%。
2024-08-07
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西門子Xcelerator即服務(wù)助力松下進(jìn)行家電開發(fā)數(shù)字化轉(zhuǎn)型
西門子支持全球領(lǐng)先的電子產(chǎn)品制造商松下電器將產(chǎn)品開發(fā)和設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)管理轉(zhuǎn)移到軟件即服務(wù)(SaaS)模式,作為其數(shù)字化轉(zhuǎn)型(DX)策略——“松下轉(zhuǎn)型”(Panasonic Transformation – PX)的一部分
2024-08-06
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高效控制：類比半導(dǎo)體DR7808在新能源汽車中的應(yīng)用
在當(dāng)前新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的大潮中，中國(guó)汽車芯片的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程顯得尤為迫切和重要。隨著國(guó)家對(duì)自主可控技術(shù)的高度重視和支持，電機(jī)預(yù)驅(qū)技術(shù)正經(jīng)歷著一場(chǎng)深刻的變革。從早期依賴分立元件和繼電器的控制方式，到現(xiàn)在向高度集成化的IC解決方案轉(zhuǎn)型，這一轉(zhuǎn)變不僅響應(yīng)了市場(chǎng)對(duì)更高性能、更低成本、更小尺寸、更高安全性和更多元化功能的需求，同時(shí)也符合國(guó)家推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控、提升關(guān)鍵核心技術(shù)的政策導(dǎo)向。
2024-08-06
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第2講：三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展史
三菱電機(jī)從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史，從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化，從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓，三菱電機(jī)一直致力于開發(fā)和應(yīng)用高性能、高可靠性且高性價(jià)比的SiC器件，本篇章帶你了解三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展史。
2024-08-02
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半導(dǎo)體后端工藝｜第九篇：探索不同材料在傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝中的作用
可靠性和穩(wěn)定性是保障半導(dǎo)體產(chǎn)品順暢運(yùn)行的關(guān)鍵因素。半導(dǎo)體器件的封裝必須注意避免受到物理、化學(xué)和熱損傷。因此，封裝材料必須具備一定的質(zhì)量要求。隨著業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品運(yùn)行速度的要求不斷提高，封裝材料需要具備更優(yōu)異的電氣性能，比如具備低介電常數(shù)（Permittivity）1和介電損耗（Dielectric Loss）2的基板等。
2024-08-02
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如何利用低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)實(shí)現(xiàn)超大規(guī)模集成電路（VLSI）的電源完整性？
如今的集成電路 (IC) 與二十多年前的集成電路有著天壤之別。新一代的芯片面積更小，但集成了盡可能多的功能，采用了先進(jìn)的處理節(jié)點(diǎn)和獨(dú)特的架構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)整個(gè)芯片的高能效信號(hào)傳輸。摩爾定律所涉及的不僅是晶體管柵極尺寸變小，也涵蓋了低功耗架構(gòu)。
2024-08-02
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羅姆將亮相2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia）（展位號(hào)：11號(hào)館D14）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。
2024-08-01
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