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硅基GaN擔(dān)當(dāng)下一階段LED成本下降的重任
對此，Veeco的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁William J. Miller表示：“Veeco被選中作為三星SAIT研究硅氮化鎵，并商品化這項技術(shù)用于大批量制造氮化鎵功率器件，我們認(rèn)為是巨大的戰(zhàn)略研發(fā)上的勝利?！?/p>
2011-03-30
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數(shù)控直流穩(wěn)壓電源設(shè)計
隨著新型電力電子器件和適于更高開關(guān)頻率的電路拓?fù)涞牟粩喑霈F(xiàn)，傳統(tǒng)應(yīng)用技術(shù)，由于功率器件性能的限制使開關(guān)電源性能的影響減至最小，新型的電源電路拓?fù)浜托滦偷目刂萍夹g(shù)，可使功率開關(guān)工作在零電壓或零電流狀態(tài)。本文將和你一起探討數(shù)控直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計...
2011-03-30
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無傳感器洗衣機電機驅(qū)動設(shè)計
用于風(fēng)機、水泵、空調(diào)、冰箱、洗衣機、電梯和傳輸?shù)葢?yīng)用領(lǐng)域的電動機消耗著全球半數(shù)以上的電能，其中大多采用僅能簡單開啟和關(guān)斷電機的高能耗機電驅(qū)動裝置。僅在家電應(yīng)用中以變頻解決方案替代這些低效率電機就可以削減多達(dá)60%的能源消耗。大部分家電采用通用直流電機或單相交流感應(yīng)電機，其速度控制方法相當(dāng)粗略，要么采用開斷控制，要么依靠可控硅控制導(dǎo)通相角，其典型系統(tǒng)效率最高也就能達(dá)到50%左右。不過，隨著高效功率器件和先進數(shù)字控制器的問世，將更具效率的電機和控制技術(shù)應(yīng)用于最新家電已經(jīng)成為可能。
2011-03-10
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IGBT 在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用
在UPS 中使用的功率器件中IGBT 成為UPS 功率設(shè)計的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設(shè)計，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項。
2011-03-01
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飛兆半導(dǎo)體：先準(zhǔn)確定位需求然后才能正確擴大產(chǎn)能
現(xiàn)階段，功率器件出現(xiàn)供不應(yīng)求的緊張態(tài)勢持續(xù)已久，二季度后，傳統(tǒng)功率器件市場的旺季將加劇缺貨情況。未來市場供需會有哪些變化？哪些市場將會是功率器件市場的藍(lán)海？面對本土功率器件廠商的崛起，功率器件大廠將如何應(yīng)對？針對上述問題，電子元件技術(shù)網(wǎng)采訪了飛兆半導(dǎo)體技術(shù)行銷部首席經(jīng)理張三嶺...
2011-03-01
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智能功率器件
本文以英飛凌公司的智能PROFETBTS5020-2EKA_DS20為例，詳細(xì)解釋了燈泡在沖擊電流的物理模型，進而給出了如何在設(shè)計中計算沖擊電流下驗證器件的安全。
2011-02-28
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小電流可控硅固體開關(guān)的研制
本文通過脈沖變壓器隔離控制28個串聯(lián)可控硅（TYNl225），得到了20kV小電流開關(guān)，對固體開關(guān)的串聯(lián)技術(shù)進行了試驗研究，并討論了串聯(lián)電路所涉及到的觸發(fā)信號的高壓隔離技術(shù)、驅(qū)動信號同步技術(shù)以及功率器件的動態(tài)靜態(tài)均壓技術(shù)。
2011-01-25
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2011年LED照明市場與技術(shù)概覽
電子元件技術(shù)網(wǎng)揭示LED市場熱點，發(fā)布有關(guān)技術(shù)和市場的獨到的見解，分析新的一年中市場和產(chǎn)品趨勢。本期半月談將聚焦于與LED照明相關(guān)的功率器件、驅(qū)動IC、電源模塊、熱管理技術(shù)、連接器和電路保護器件，以及與他們相關(guān)的新的市場機遇。
2011-01-17
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NEULAND項目將開發(fā)能耗減半的新型半導(dǎo)體材料
——主要面向可再生能源、電信和照明系統(tǒng)為此，德國半導(dǎo)體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部（BMBF）資助，旨在開辟可再生能源電力高效利用的新途徑。NEULAND代表具備高能效和成本效益、基于寬帶隙化合物半導(dǎo)體的創(chuàng)新功率器件。該項目旨在系統(tǒng)成本不大幅提高的前提下，將可再生能源電力并網(wǎng)損耗降低50%，例如光伏逆變器。這將有待于利用基于碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）的創(chuàng)新半導(dǎo)體器件實現(xiàn)。
2011-01-05
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Z-Rec?650V：Cree推出碳化硅肖特基二極管滿足數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求
碳化硅功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec?650V 結(jié)型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS 二極管的阻斷電壓為 650V，能夠滿足近期數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)修改的要求。據(jù)行業(yè)咨詢專家估算，這樣可以將能效提高多達(dá) 5% 。由于數(shù)據(jù)中心的耗電量幾乎占全球年耗電量的 10%，任何水平的能效提升都會有助于大幅降低總體能耗。
2010-12-21
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新型材料的電力電子器件：碳化硅功率器件
碳化硅是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電力電子方面也是很重要的，可制作出性能更加優(yōu)異的高溫(300℃～500℃)、高頻、高功率、高速度、抗輻射器件。SIC高功率、高壓器件對于公電輸運和電動汽車等設(shè)備的節(jié)能具有重要意義。采用SIC的新器件將在今后5～10年內(nèi)出現(xiàn)，并將對半導(dǎo)體材料產(chǎn)生革命性的影響。
2010-12-16
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Mouser Electronics與 Powercast公司簽署全球分銷協(xié)議
Mouser Electronics，以其快速導(dǎo)入最新電子元器件與技術(shù)而知名。近日宣布與Powercast 公司簽署全球分銷協(xié)議。Powercast是在對微功率器件進行遠(yuǎn)程無線電力傳輸方面具有突破性貢獻(xiàn)的創(chuàng)新企業(yè)。
2010-11-15
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