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江西首個多晶硅生產(chǎn)項目在樟樹正式投產(chǎn)
10月23日，引進世界領先技術、一期總投資達5000萬美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項目在江西樟樹正式投產(chǎn)，這是江西省首個投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氫硅
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高壓大功率變頻器在長輸管道上的應用
高壓大功率的大型變頻器在長輸管道輸油生產(chǎn)過程中應用可以節(jié)省電力，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性，本文介紹了秦京線的應用實例。
2008-10-23
變頻器 長輸管道 節(jié)能
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高分子PTC熱敏電阻工作原理介紹
本文主要介紹高分子PTC熱敏電阻的工作原理及其環(huán)境影響因素。首先分析了高分子PTC熱敏電阻用于過流保護的工作原理，其次分析了環(huán)境溫度對高分子PTC熱敏電阻的影響，最后介紹了高分子PTC熱敏電阻動作后的恢復特性。
2008-10-23
高分子PTC熱敏電阻 過流保護 環(huán)境影響
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ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)
本文主要介紹了一種研究電流和時域ESD事件下的集成電路技術和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。
2008-10-23
ESD測試工具 TLP
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高壓交流隔離開關和接地開關選用的若干問題
本文分析了高壓交流隔離開關和接地開關選用的若干問題，包括：隔離開關開合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開關開合感應電流、單柱垂直斷口隔離開關的額定接觸區(qū)、接地開關的短路持續(xù)時間和隔離開關的過載能力、接地開關的長期通流問題、絕緣子爬電距離是否需要進行海拔修正的問題。
2008-10-23
隔離開關 接地開關 轉(zhuǎn)換電流 隔離電流 接觸區(qū)
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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是否所有的ESD保護二極管都有相同的保護效果？
本文針對目前所面臨的找到一種具有成本效益的ESD解決方案的挑戰(zhàn)，分析了ESD方面所需考慮的因素，提出了將電壓箝位到更低水平的最優(yōu)方案，接著并比較幾種保護器件得出安森美的保護器件更具競爭性和優(yōu)越性。
2008-10-23
ESD 保護二極管 箝位電壓
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